Reconfigurable atomically thin memristors via nano-engineered defects PhD

该项目探讨了如何利用钻石和二维晶体（如六方氮化硼）等先进材料中的受控缺陷，来提升电子与量子器件的性能。尽管缺陷通常被视为有害因素，但若能加以精确调控，它们实际上可实现多种有用功能——例如量子传感和低功耗存储。具体而言，本项目聚焦于在原子尺度上开发忆阻器（记忆电阻），其中微小的缺陷有助于以极低能耗调控电学行为。一个主要挑战在于如何精确地制造和调节这些缺陷，并在真实工作条件下保持其稳定性。 您将与专家合作，使用最先进的纳米加工、薄膜沉积以及极低温下的量子测量技术，设计并构建纳米级器件。目标是开发通过电压、热和离子束来精确控制缺陷的新方法，从而实现可用于未来计算技术的可重构材料。作为物理学博士生，您将接受量身定制的培训，并在一个协作性强、多学科交叉的环境中工作，可使用世界一流的设备进行器件制备与测试，致力于推动下一代计算、数据存储和能源技术的发展。